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[期刊] 清华大学学报(自然科学版)  [作者] 杨思琴  刘思伽  白晨  江铭虎  
句法优先说和语义中心论是句子加工理论中两大对立的观点.该文以N400和P600效应为主要观测和分析对象,探究汉语中没有修饰成分的“名词+动词+名词”的[S+V+O]句式中句法违反句、语义违反句和语义句法双违反句在大脑中的认知加工机制.结果显示,语义违反句、句法违反句和语义句法双违反句在300~500ms均引发了N400效应.其中,语义违反句和句法违反句的N400波幅近似,但语义句法双违反句的N400波幅远大于句法违反句和语义违反句的N400波幅.所有条件中只有句法违反句产生了P600效应.实验结果表明,汉语中没有修饰成分的“名词+动词+名词”的[S+V+O]句式的句子加工契合语义中心论.同时也发现,该句式与“把”字句和“被”字句所引发的脑电成分不同.基于此,本研究推论句子加工因语言种类和语言结构形式的不同而有所差异.
[期刊] 西北农林科技大学学报(社会科学版)  [作者] 李虹  齐沪扬  
现代汉语中"V满"结构的情状(situation)类型对其句式选择有一定限制作用。"V满"结构既可以表达完结类事件(accomplishment)又可以表达状态(state),这一语义特点使其成为一类特殊的动结式结构,具体表现为既能进入一般动结式所构成的句式,还可以进入存在句句式,并且部分"V满"句出现主宾互易现象。此外,"V满"结构在句式选择上表现出的特点,除了有语义方面的限制作用外,与语用、认知等因素也有密切的联系。
[期刊] 国际贸易问题  [作者] 何兴强  周开国  
现有研究运用经典和修正R/S分析探讨我国股票市场的长期记忆效应。本文运用更为稳健的V/S分析,对比研究上证股市和另外7个国家和地区的股票市场,分别诊断各股市日收益和周收益、及三种典型度量的收益波动的长期记忆效应。研究表明:股市日收益和周收益序列都不存在显著的长期记忆;三种典型度量的收益波动普遍存在显著的长期记忆;日收益波动比周收益波动的长期记忆更显著。
[期刊] 西北农林科技大学学报(自然科学版)  [作者] 孙东永  畅建霞  黄强  王义民  
【目的】将V/S分析法引入到洪涝灾害面积序列的长记忆性研究,为洪涝灾害的预测和防治提供参考。【方法】以洞庭湖1949-1998年50年的洪涝灾害面积序列为研究对象,采用V/S分析法计算其Hurst指数,并结合其Mann-Kendall趋势分析洪涝灾害面积序列未来的变化趋势。【结果】20世纪70年代以来洞庭湖区的洪灾面积下降趋势明显,90年代以后涝灾面积上升趋势显著,洞庭湖洪涝灾害时间序列V/S分析的Hurst指数均大于0.5,表明洪涝灾害面积序列的变化趋势在未来将持续。【结论】V/S分析是一种有效的趋势预测方法。将V/S分析法与Mann-Kendall相结合的方法能够分析洪涝灾害时间序列未来的...
[期刊] 经济经纬  [作者] 王文静  马军海  
对金融时序的长记忆性进行研究在金融市场预测中具有重要的意义。目前一般认为Giraitis等人于2003年提出的V/S分析法更具稳健性、不易受短期记忆性的影响。尽管很多研究表明V/S方法在分析时间序列的记忆性问题上表现更为稳健,然而本文同时运用R/S分析和V/S分析法对香港股市进行研究,发现两种方法对时间序列短期相关性的敏感度却是大体相当的,这与以往的研究结论并不一致。
[期刊] 工业工程与管理  [作者] 李春芝  甘卫华  鄢伟安  
放宽单水平连续抽样方案(CSP-V)无法考虑成本约束,第一类和第二类风险水平都很高,对过程状态判断滞后。提出CSP-V和过程良率指数(■)集成过程控制方案。建立满足质量和成本约束的最优CSP-V质量控制方案。构建基于■估计精确分布的风险控制方案,实现质量和成本约束下对两类风险的同时精确控制。集成方案实现了对过程状态实时无滞后的监控。集成控制方案充分利用数据的计数和计量特征驱动四类方案参数运行,没有增加检验工作量。为方便使用,给出三个方案列表。和传统CSP-V方案的对比表明集成控制方案具有良好的接收概率曲线。应用实例验证了方案的可行性和有效性。
[期刊] 福建农林大学学报(自然科学版)  [作者] 荣成  蒋疆  李清禄  
通过水热的方法合成了一例新的二维层状四元钒锗酸盐化合物(H3deta)4Ge8V14S8O42.H2O,并对其进行红外、热重以及X-射线单晶衍射和粉末衍射分析.晶体学测试结果表明:该化合物为四方晶系,P-4m2空间群,晶包参数a=b=0.9933(6)nm,c=2.3661(15)nm,α=β=γ=90°,V=2.335(2)nm-3,Z=8,R1=0.0803,wR2=0.2288;该化合物由较大的[Ge8V14S8O42]12-簇共顶点相连成(001)平面的二维(2D)层状骨架,骨架之间由带正电荷的二乙烯三胺(deta)分子填充.
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