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腐败、政府R&D投入与高技术产业技术创新效率

2014-12-18分类号:D262.6;F276.44;F812.45

【作者】范允奇  徐玉生  
【部门】江南大学商学院  江南大学江苏党风廉政建设创新研究基地  江南大学马克思主义学院  
【摘要】通过构建数理模型,研究腐败和政府R&D投入对技术创新效率的影响机制,结果表明:腐败对技术创新效率具有负向影响;存在腐败时,政府R&D投入对技术创新效率的影响可以分解为负向的规模效应和正向的结构效应,最终结果依赖于两种效应的净效应;政府R&D投入对腐败和技术创新效率的关系具有调节作用,且调节效应一般为正,即政府R&D投入增加弱化了腐败对技术创新效率的不利影响。以2000—2009年中国高技术产业省际面板数据为样本,采用DEAMalmquist指数测度技术创新效率,运用动态面板系统GMM方法进行实证分析,验证了理论结论。
【关键词】腐败  政府R&D投入  技术创新效率  高技术产业
【基金】教育部哲学社会科学研究重大课题攻关项目“建构立体形式反腐败体系研究”(13JZD013);; 教育部人文社科规划项目“外部融资、企业家精神差异化配置与民营企业成长:微观层面的理论和经验研究”(14YJA790089);; 江苏省决策咨询研究基地项目“大数据时代网络反腐舆情监测与预警研究”(14SSL37)
【所属期刊栏目】财贸研究
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