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吸收能力、FDI技术溢出门限效应与内资企业生产率增长——基于我国高技术产业的实证分析

2015-10-10分类号:F276.44;F832.6

【作者】陈建丽  孟令杰  王琴  
【部门】南京工业大学  南京理工大学  南京邮电大学  
【摘要】本文以中国高技术产业13个细分行业1997~2011年面板数据为研究样本,利用面板门限回归模型对FDI研发活动对内资企业生产率增长的影响,以及内资企业技术吸收能力在FDI技术溢出过程中的门槛特征进行分析。研究结果显示:FDI研发活动对内资企业存在正向技术溢出效应;内资企业研发资金强度和研发人员强度对FDI技术溢出有非线性影响,并存在显著的单门限效应,当超过各自的门限值时,FDI的技术溢出效应均有显著提高。另外,内资企业研发投入、对外开放程度都是生产率增长的重要影响因素,但企业规模对生产率增长没有显著影响。
【关键词】FDI  技术溢出  面板门限回归  吸收能力  高技术企业  自主创新
【基金】国家社科基金资助项目(项目编号:11&ZD046); 教育部人文社科青年基金项目(项目编号:14YJCZH116); 江苏省高校哲学社会科学研究基金资助项目(项目编号:2014SJB125)
【所属期刊栏目】工业技术经济
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