【摘要】为了评价外源ATP对Cd胁迫下绿豆根生长的保护作用,对绿豆细胞死亡程度、根中超氧阴离子(O2.-)及根中O2.-进行了测定。结果表明,ATP(400μM)缓解了Cd(10μM)对根生长的抑制作用,降低了Cd诱导的根尖的细胞死亡。Cd诱导的根的生长抑制部分原因是由于Cd抑制细胞间质O2.-的水平。ATP处理对于Cd胁迫下细胞间质O2.-的水平有提升效果。因此,外源ATP可能通过维持Cd胁迫下细胞内的氧化还原状态而表现出其保护作用。