【摘要】采用中频反应磁控溅射技术,在石英基片上制备了氧化铝薄膜。研究了氧化铝薄膜的XRD谱和Al 2p核心能级的XPS谱随不同制备氧分压比的演变规律。结果表明:随着制备氧分压比的增加,薄膜中的铝元素从金属态逐渐升高到正3价,同时薄膜由晶态逐渐转变成非晶态。当氧分压比为11%时,可以得到符合化学计量比的、非晶态的、表面非常光滑的氧化铝薄膜,该薄膜具有较高的折射率和较低的消光系数。AFM表面相貌图片显示:随氧分压比增加薄膜表面形貌呈现逐渐光滑的趋势。薄膜在300～1100nm波段有很高的透射率。以上性质表明用中频反应磁控溅射技术制备的氧化铝薄膜在光学领域有着广泛的应用前景。