【摘要】在对4H—SiC高压肖特基势垒二极管进行了理论分析的基础上,利用仿真软件ISE10.0对具有结终端保护的4H—SiC高压肖特基势垒二极管耐压特性进行了模拟仿真计算,并取得了很多有价值的计算结果。利用平面制造工艺,结合仿真提取的参数,试制了4H—SiC肖特基势垒二极管。实验测试结果表明,仿真计算的结果与实际样品测试的数据一致性较好,实测器件反向耐压值已达到1 800 V。