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基于温度特性测试的GaN HEMT功率放大器性能退化研究

2024-04-28分类号:TN722.75;TN386

【作者】汪玫倩   林倩
【部门】青海民族大学物理与电子信息工程学院  电子科技大学电子科学与工程学院  同方电子科技有限公司  
【摘要】为了研究氮化镓高电子迁移率晶体管功率放大器在不同环境温度下的性能退化情况,根据我国东、西、南、北4个地区的极端温度、平均温度以及电路的工作温度对其进行了系统的温度特性测试。测试结果显示,随着温度升高,该功率放大器的直流特性和交流特性都出现了不同程度的退化,当温度升高至125℃时,小信号增益较常温减少了1.26 dB,三阶交调点下降了6.03 dBm,输出功率与增益最大差值为1.31 dB。分析可得其主要原因是温度升高直接引起阈值电压正向偏移和二维电子气迁移率下降,进而导致饱和电流减小和膝点电压增加,最终使得输出功率显著减小。为保证电路在不同温度下正常工作,提出了一种温度补偿措施来抵消由温度引起的性能退化,这为电路的可靠性设计提供了重要参考。
【关键词】GaN HEMT  功率放大器  温度特性  温度补偿
【基金】国家自然科学基金项目(62161046);; 2021年中国科学院西部之光专项项目(1_14)
【所属期刊栏目】实验技术与管理
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