【摘要】使用电子束曝光或者聚焦离子束设备制备纳米针尖，虽然精度高但不能大面积快速制备；使用紫外曝光设备可以大面积快速制备，但制备精度达不到纳米量级。该文基于泊松亮斑效应，提出在常规紫外曝光设备中制备大面积、可控的纳米针尖阵列的方法。通过调控掩膜版图形和曝光剂量得到了直径小于100 nm的光刻胶的纳米针尖阵列，然后用反应离子刻蚀将光刻胶图案转移到硅衬底上得到了直径小于50nm、径高比达1∶10的超细纳米针尖阵列。泊松亮斑曝光能极大地提高紫外曝光机的分辨率，该方法可操作性强并可大面积制备，是一种可行的曝光技术。