波型结构样品二次电子发射的Monte Carlo模拟(英文)
2019-01-15分类号:TN16;O462.2
【部门】中国科学院强耦合量子材料物理重点实验室中国科学技术大学 新疆师范大学物理与电子工程学院
【摘要】用于研究电子与固体相互作用的Monte Carlo(MC)模拟技术已成功应用于获得测长扫描电子显微镜(CD-SEM)中的线扫描轮廓曲线.以前的研究主要关注具有尖锐边缘的简单几何形状的样品,为此将相应的模拟扩展到具有平滑弯曲形貌的波形结构样品. MC模拟模型用Mott截面描述电子的弹性散射以及基于完全Penn算法的介电函数理论描述电子的非弹性散射.综合考虑了不同实验因素,如电子束能量,几何参数和材料性质对波型结构样品CD-SEM线扫描曲线的影响;计算表明,随着样品结构高度的降低,二次电子的两个侧边峰可以合并成一个中心单峰,该特征为平滑线状结构样品的关键尺寸表征带来了新的挑战.
【关键词】扫描电子显微镜 Monte Carlo 二次电子
【基金】###################################
【所属期刊栏目】中国科学技术大学学报
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