【摘要】设计了一种应用于静态随机存储器(SRAM)读数据过程中的电压型灵敏放大器(SA).与传统交叉耦合结构SA相比,增加了由NMOS管构成的第二级交叉放大电路及由上拉和下拉电路组成的输出电路.改进的结构能在快速而且高增益地放大位线上电压差的同时,改善灵敏度低的问题,确保了SRAM在不工作时数据输出端口的输出不受内部干扰.仿真结果表明,与传统结构相比,本设计减少了为确保输出节点全摆幅而所需的95%的位线上电压,同时在相同差分电压输入的情况下,响应时间减少了80%.