基于RB-IGBT的矩阵变换器中杂散电感的影响与优化
2017-08-10分类号:TM46
【部门】清华大学电机工程与应用电子技术系电力系统及发电设备控制和仿真国家重点实验室
【摘要】主电路杂散电感是影响矩阵变换器开关器件可靠运行和整体性能的重要因素。该文对基于逆阻型IGBT(RBIGBT)的矩阵变换器中杂散电感和吸收电容的影响进行分析,并由此研究主电路结构优化设计方法。首先分析了杂散电感及吸收电容对矩阵变换器中双向开关器件关断暂态过程的影响,给出了吸收电容引起矩阵变换器波形畸变的原因。基于RB-IGBT行为模型的仿真结果表明,矩阵变换器主电路杂散电感及吸收电容对双向开关换流暂态各个阶段持续时间及尖峰电压的影响并不相同。然后提出一种减小换流回路杂散电感的主电路连线与器件布局优化设计方法
【关键词】矩阵变换器 逆阻型IGBT(RB-IGBT) 杂散电感 优化设计
【基金】
【所属期刊栏目】清华大学学报(自然科学版)
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