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基于先进迁移率模型的4H-SiC MOSFET Spice模型研究
2017-10-15
分类号：TN386
【作者】
周郁明 李勇杰 鲍观甲 刘航志
【部门】
安徽工业大学电气与信息工程学院
【摘要】
【关键词】
4H-SiC MOSFET Spice模型 迁移率 开关损耗
【基金】
国家自然科学基金(51177003);; 安徽高校自然科学基金(KJ2016A805)资助
【所属期刊栏目】
中国科学技术大学学报
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